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名城大学・三重大学

高出力の深紫外LED/半導体レーザー向け基板剥離技術を開発

工学

名城大学三重大学の両者は高出力の深紫外LED/半導体レーザー向け基板剥離技術を開発したと発表した。

同成果は、名城大 理工学部 材料機能工学科の岩谷素顕教授、同・竹内哲也教授、同・上山智教授、同・理工学部 応用化学科の丸山隆浩教授、三重大大学院 工学研究科の三宅秀人教授らの共同研究チームによるもの。

工学

詳細は、日本応用物理学会誌の姉妹紙の応用物理学を扱う学術誌「Applied Physics Express」に掲載された。


半導体発光素子の光出力は、電子から光子に変換され、半導体外部に取り出される効率(量子効率)と注入電流に依存する。現在の半導体発光素子の光出力は1つのチップで最大数百ミリワットに制限されており、それをどのように増強するかが重要な課題となっている。電流注入を増加させるには、デバイスのサイズを拡大する必要があった。


紫外線は、波長315~380nmのUV-A、波長280~315nmのUV-B、波長100~280nmのUV-Cの3種類があり、また波長300nm以下のものは深紫外線と呼ばれる。アルミニウム、ガリウム、窒素で構成される化合物AlGaNは、高品質な単結晶を得ることにより波長210nm~365nmの紫外線を放射することが可能だ。AlGaNは、深紫外線も放射できることから、バイオテクノロジー、皮膚病治療などの医療用途や、UV硬化プロセス、レーザー加工など工業分野への応用が期待されている。


※本記事の内容は掲載日時点の情報です。詳しい情報は参考ページ等から確認してください。


参考ページ

https://news.mynavi.jp/techplus/article/20231031-2807284/

大学案内

(名城大学)

https://www.toshin-daigaku.com/detail.php?id=170

(三重大学)

https://www.toshin-daigaku.com/detail.php?id=040

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